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原子1個分の隙間が次世代半導体開発の障壁に

ウィーン工科大学の研究で、次世代の超小型コンピューターチップに使う材料として期待されている二次元材料が、実際のデバイスでは思わぬ制約を受ける可能性があることが明らかになりました。問題となるのは、材料と絶縁層の間にできる原子レベルの隙間で、その大きさは約0.14ナノメートルと極めて小さいものの、半導体デバイスのさらなる小型化を妨げる要因になり得るとのことです。

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